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无极性电解电容助力科技发展

文章出处:东联盛电子 作者:电解电容编辑阅读量:发表时间:2020-05-29 14:20

  无极性电解电容量在增长,质在飞跃。10年来,无极性电解电容产业规模猛增,技术创新水平跃上新的台阶。工业和信息化部副部长杨学山指出:“无极性电解电容产业发展的历史证明,不掌握核心技术,产业发展就没有主动权,不创新发展模式,产业就没有大发展。发展电子信息产业,必须把突破核心关键技术、创新发展模式放在最突出的位置。”

  10年来,我国无极性电解电容的创新能力不断提升,截至2011年年底,信息技术领域的专利申请总量达到136.4万件,占全部专利申请总量的35.8%,居工业各行业首位。

  工业和信息化部电子信息司司长丁文武向《中国电子报》记者介绍,目前,我国集成电路工艺水平已突破45纳米,设计水平达到40纳米,通用CPU等一批中、高端芯片研发成功并投入生产。千万亿次高性能计算机研制成功,高性能服务器打破国外技术封锁,下一代互联网核心设备研发取得明显进展。无极性电解电容核心技术与国际先进水平差距逐步缩小,已可大规模量产高世代液晶面板、光纤预制棒、发光二极管、太阳能多晶硅等较高附加值产品。“在云计算等推动下,软件产业结构调整步伐加快。”工业和信息化部软件服务业司司长陈伟对记者说,“操作系统、数据库、中间件和办公套件等基础软件国产化取得实质性进展。应用软件、嵌入式软件取得突破,成为产业主要增长点。”“经过10年的发展,我国的无极性电解电容的研发及应用水平跨入世界先进行列。”工业和信息化部通信发展司司长张峰告诉记者。我国自主研发的TD-SCDMA经过3年多的商用网络建设和不断优化,网络关键指标不断提升,网络质量已基本接近GSM网络水平。截至2012年8月,TD-SCDMA用户突破7000万户,接近3G总用户的40%,已实现三分天下有其一,创造了我国信息通信技术领域自主创新的成功典范。标准和知识产权战略有力推进,TD-LTE-Advanced成为4G移动通信国际标准。

  我们看到,技术和产品升级换代步伐加快,平板电视、笔记本电脑占彩电和计算机比重均已超过75%,智能手机占比超过40%;多条集成电路12英寸生产线、高世代液晶面板生产线相继建成投产。随着3G发展呈现蓬勃发展之势,移动互联网用户在移动用户中的渗透率已达到64%,移动即时消息、移动VoIP、手机电视、移动支付等应用服务迅速兴起,成为拉动行业增长最核心的力量,也深刻地改变了人们的工作、生活方式。

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